美光1γ DDR5内存新突破：减少EUV使用，能否加速尖端DRAM量产？

在内存技术的最新进展中，美光公司（Micron）已经成功地为英特尔（Intel）和AMD等客户提供了1γ（gamma）DDR5的样品，这一成就标志着美光在行业内率先实现了技术突破。

据韩媒chosun于近日报道，美光在交付的样品中，采取了一种独特的技术策略，即仅在样品的一层中使用了极紫外光刻（EUV）设备。美光计划通过减少EUV的使用，来加快尖端DRAM的量产速度。

美光公司选择减少对EUV技术的依赖，转而更多地采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。据ASML的数据显示，下一代深紫外光刻（DUV）系统使用193纳米波长的氩氟激光，能够实现38纳米特征尺寸的打印。而EUV光刻虽然使用13.5纳米波长的光，具有更高的精度，但其成本也相应更高。

美光方面表示，由于EUV技术尚未完全稳定，因此公司仅在必要时才使用。这一策略在短期内可能会提高量产速度，但从长期来看，可能会对芯片的良率和性能产生一定影响。

与美光不同，三星和SK海力士在DRAM技术的发展中更加依赖EUV层。自2020年起，三星在内存生产中就开始采用EUV技术，并计划在其第6代10纳米DRAM（1c）中应用超过5个EUV层。SK海力士也在2021年引入了EUV设备，并计划在下一代1c DRAM中采用类似的策略。

尽管美光通过减少对EUV的依赖可能在短期内节省成本，但从长期来看，公司可能会面临技术瓶颈。行业专家指出，ArFi工艺需要更多的步骤，这可能会导致良率下降。随着EUV层数的增加，特别是超过三层后，技术难度将显著提升。

美光的技术策略在行业内引发了广泛的关注和讨论。一方面，美光通过减少EUV的使用，试图在保持技术领先的同时，降低生产成本并提高量产速度。另一方面，这种策略也引发了对于芯片良率和性能的担忧。